FUNKR Deutschland e. V.

Prüfungsfrage AB109

Wie verhält sich die Verarmungszone in der hier dargestellten Halbleiterdiode?

Lösung

In der dargestellten Schaltung liegt der P-Bereich auf $0 V$ und der N-Bereich auf $+5 V$. Die Diode wird damit in Sperrrichtung betrieben.

Bei einer Sperrspannung werden die freien Ladungsträger von der Grenzschicht weggezogen. Dadurch vergrößert sich die Verarmungszone beziehungsweise Sperrschicht.

Dieser Alt-Text wurde noch nicht überprüft.
<p>Kurzfassung: Schematische Zeichnung eines rechteckigen Stromkreises mit einem oben eingesetzten Block, der mit „P“ und „N“ beschriftet ist, und einer unten eingezeichneten Spannungsquelle mit dem Hinweis „U“ und einem Pfeil nach links.</p>
<p>Detaillierte Beschreibung: Ein rechteckiger Leitungsrahmen bildet einen geschlossenen Stromkreis. Oben in der Mitte sitzt ein horizontaler, rechteckiger Block, der links mit „P“ und rechts mit „N“ beschriftet ist; in der Mitte verläuft eine senkrechte Trennlinie. Am linken Rand des Blocks ist ein schmaler, rötlicher Streifen, am rechten Rand ein schmaler, hellblauer Streifen; die Bereiche zwischen den farbigen Streifen und der Mittellinie sind grau. Der Block ist links und rechts mit den Leitungen des Rahmens verbunden. Unten in der Mitte liegt ein Batteriesymbol (zwei parallele vertikale Platten, links eine kürzere ausgefüllte, rechts eine längere Linie) im unteren Leiterzug. Über der Batterie steht „U“ mit einem nach links gerichteten Pfeil. Es sind keine Zahlenwerte oder Achsen angegeben.">
<figcaption>Abbildung 1: PN-Übergang erweitert sich</figcaption></p>
</figure>
</div>
</section>
</div>
</section>
</div>
</main>

<footer class=

Wie verhält sich die Verarmungszone in der hier dargestellten Halbleiterdiode?

Navigation

Funk Themen

Community

Wissen & Ressourcen